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다층 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
Optical Characteristics of Multi-Stacked InAs/InAlGaAs Quantum Dots
- 오재원;
- 류미이;
- 권세라;
- 조병구;
- 김진수
초록
자발형성법으로 InP (001) 기판에 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(QDs, quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs 양자점 시료는 single layer InAs/InAlGaAs QDs (QD1)과 7-stacked InAs/InAlGaAs QDs (QD2)를 사용하였다. 저온(10 K)에서 QD1과 QD2 모두 1,320 nm에서 PL 피크가 나타났으며, 온도를 300 K까지 증가하였을 때 각각 178 nm와 264 nm의 적색편이(red-shift)를 보였다. QD1의 PL 소멸시간은 PL 피크인 1,320 nm에서 1.49 ns이고, PL 피크를 중심으로 장파장과 단파장으로 이동하면서 점차 짧아졌다. 그러나 QD2의 PL 소멸시간은 발광파장이 1,130 nm에서 1,600 nm까지 증가할 때 1.83 ns에서 1.22 ns로 점진적으로 짧아졌다. 이러한 QD2의 PL과 TRPL 결과는 평균 양자점의 크기가 InAs/InAlGaAs 층이 증가함에 따라 점차 증가하기 때문으로 single layer인 QD1에 비해 양자점 크기의 변화가 더 크기 때문으로 설명된다.
키워드
InAs; Quantum dots; Photoluminescence; Time-resolved photoluminescence; InAs; Quantum dots; Photoluminescence; Time-resolved photoluminescence; InAs; 양자점; 포토루미네션스; 시간분해 포토루미네션스
- 제목
- 다층 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
- 제목 (타언어)
- Optical Characteristics of Multi-Stacked InAs/InAlGaAs Quantum Dots
- 저자
- 오재원; 류미이; 권세라; 조병구; 김진수
- 발행일
- 2011-11
- 유형
- Y
- 저널명
- Applied Science and Convergence Technology
- 권
- 20
- 호
- 6
- 페이지
- 442 ~ 448