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저자재료 산화박막에 대한 TI 표면처리 효과
Effect of Surface Treatment of Ti on Oxidative Thin Film of Electronic Materials
- 조대철;
- 이원규
초록
코발트 실리사이드는 낮은 전기 저항성 때문에 고효율 소자를 제조하는데 적합한 물질이다. 이는 전자소재가 소형화되면서 접촉저항과 혼합을 줄이기 위해 더욱 필요하게 되었다. 본 연구에서는 티타늄의 표면산화에 미치는 영향과, RTO 조건에서 온도에 따른 코발트 실리사이드 박막의 산화정도를 측정했다. 기질로서 p-형 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, 고속 열가공을 통하여 박막을 가공하였다. 티타늄 층을 입혔을 때 산화층의 두께는 500Å정도 성장하였다. 고속 열산화의 온도변화에 따라 산화막은 550oC~700oC까지는 성장을 보였으나 700oC 이상에는 산화막 성장이 포화상태를 보였다.
키워드
전자소재; 실리사이드; Ti; 산화막
- 제목
- 저자재료 산화박막에 대한 TI 표면처리 효과
- 제목 (타언어)
- Effect of Surface Treatment of Ti on Oxidative Thin Film of Electronic Materials
- 저자
- 조대철; 이원규
- 발행일
- 2005-06
- 유형
- Y
- 저널명
- 한국산학기술학회논문지
- 권
- 6
- 호
- 3
- 페이지
- 270 ~ 272