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MEE법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 발광특성
Luminescence Properties of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by MEE Method
- 오재원;
- 류미이;
- 변혜령;
- 송진동
초록
Migration-enhanced epitaxy 성장한 InAs/GaAs 양자점(quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 Time-resolved PL 이용하여 분석하였다. InAs 양자점은 In을 9.3초 공급하고 5초 차단한 후 As을 3초, 4초, 6초, 또는 9초 공급하고 5초 차단하는 과정을 3회 반복하여 성장하였다. As을 3초 공급한 시료의 PL 피크는 1,140 nm에서 나타나고, PL 세기는 다른 세 시료에 비해 매우 약하게 나타났다. As 공급시간을 3초에서 증가하였을 때 모든 PL 피크는 1,118 nm로 청색이동하여 나타났으며, PL 세기는 증가하였다. As을 6초 공급한 시료의 PL 세기가 가장 강하게 나타나고, 반치폭(full width at half maximum)도 가장 좁게 나타났다. 이러한 결과는 양자점의 밀도와 균일도(크기변화)로 설명된다. 또한 발광파장에 따른 PL 소멸시간은 PL 피크 근처에서 가장 길게 나타났다.
키워드
InAs; Quantum dots; Photoluminescence; Time-resolved photoluminescence; InAs; 양자점; 포토루미네션스; 시간분해 포토루미네션스
- 제목
- MEE법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 발광특성
- 제목 (타언어)
- Luminescence Properties of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by MEE Method
- 저자
- 오재원; 류미이; 변혜령; 송진동
- 발행일
- 2013-03
- 유형
- Y
- 권
- 22
- 호
- 2
- 페이지
- 92 ~ 97