Zn 확산법에 의한 p-InP의 오믹 접촉 특성 향상　

초록

Zn${}_3$P${}_2$ 확산원 박막과 rapid thermal annealing 법을 이용하여 metalorganic chemical vapor deposition법으로 성장한 InP 박막에 Zn를 확산하였다. InP에서 Zn의 확산과 p-InP의 오믹접촉 특성을 electrochemical capacitance-voltage와 current-voltage 측정을 사용하여 조사하였다. 550 ${}^{\circ }$C에서 5 min 동안 활성화 한 후 0.3$\mu$m의 깊이에서 Zn 정공의 농도는 1 $\times$ 10${}^{19}$cm${}^{-3}$로, 활성화하지 않은 시료의 농도 보다 100 배 정도 더 높았다. 열처리 시간의 증가로, 도핑된 영역의 과잉의 침입형 Zn가 도핑되지 않은 영역으로 급히 확산하고 치환형 Zn로 변화하였다.AuZn/Zn/Au(100 \AA)/p-InP 시료의 접촉비저항은 2.8 $\times$ 10${}^{-6}$ cm${}^2$ 이었다. 낮은 접촉비저항은 Au층이 중요한 역할을 하였기 때문이다. 이 값은 매우 우수한 오믹 접촉비저항이며 광다이오드와 항복광다이오드 같은 소자의 응용에 사용할 수 있다.

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