韓國과 日本의 半導體 戰爭 : ‘破壞的 革新’을 통한 逆轉

초록

이 논문은 한국과 일본의 반도체 전쟁에서 ‘역전’의 역사적 시발점이었던 ‘제 3의 역전’의 과정과 요인에 대해 분석하였다. 한국 반도체 기업들은 가장 진입 장벽이 높고, 경쟁이 치열했던 메모리 시장에 후발기업으로서 진입하여 매우 빠르게 일본의 선도 기업에 역전할 수 있었다. 이 현상은 진입 장벽의 효과나 ASIC패러다임의 효과로는 설명할 수 없고, 한국이나 반도체산업 내부의 특수한 요인 때문에 나타난 것으로 볼 수도 없다. 이 논문의 핵심적인 주장은 ‘제 3의 역전’은 다른 산업에서 후발 기업이 선발 기업을 추월하는 일반적인 과정과 요인에 근거하고 있으며, 그것은 다름 아닌 ‘파괴적 혁신’을 통한 역전이었다는 것이다. 파괴적 기술이 하위시장에 수용되고 이를 모태로 급격한 기술 개발을 통해 상위시장의 요구를 만족시키게 되면, 강력한 가격 경쟁력을 기반으로 상위시장에 존재해왔던 선도 기업들을 역전하는 현상이 나타난다. 한국의 기업들은 메모리 성숙 제품의 하위시장에 진입을 함으로써 일본 기업들과 경쟁하기 시작했다. 이 시장은 시장의 규모가 작고 제품의 가격도 점감(漸減)하는 특징을 지니고 있으므로 투자 재원을 회수하기가 어렵고 수익성도 악화되기 쉬웠다. 하지만 일본 기업 간 과점적 경쟁구조, 미일 반도체 협정의 효과, 엔화 절상과 같은 요인들 때문에 하위시장의 규모는 확대되었다. 한국의 기업들은 이 시장에 대한 점유율을 늘림으로써 후발 기업으로서의 불리함을 극복하고 ‘파괴적 혁신’의 씨앗을 뿌릴 수 있었다. 한국 기업들은 이후 급격한 기술 능력의 발전을 통해 제품 개발 능력과 양산 능력의 격차를 줄임으로써 성숙 제품이나 첨단 제품의 상위 시장으로 진입하였다. 하위시장을 기반으로 다음 세대의 상위시장에 진입할 수 있는 경쟁력을 강화하는 나선형의 발전 논리가 반복되었다. 반면, 일본 기업들은 과점적 경쟁으로 인해 시장이 정점에 도달하기도 전에 철수하였고, 투자 효율이 악화되었다. 더욱이 엔화절상과 일본 시장의 침체 등과 맞물려 시장점유율을 하락시키고 투자 능력을 악화시키는 악순환에 빠지게 되었다. 한국의 반도체 3사는 1993년부터 지속된 ‘4MD램 대호황’에 힘입어 ‘제 3의 역전’에 성공할 수 있었다. 이 역전은 후발 기업이 선발 기업을 추월하는 ‘로엔드형 파괴적 혁신’의 전형적인 역사적 사례였다.

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