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2000 ~ 2026
2000 2026
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전체 318건 중 221번부터 230번까지의 결과를 표시합니다.
2013
2012
Article
InAs/GaAs 양자점의 발광특성에 대한 InGaAs 캡층의 영향
- 류미이 ;
- 권세라 ;
- 송진동
- 2012-11
- Applied Science and Convergence Technology
- 한국진공학회
Conference
Electrical and optical characterization studies of Ge1-ySny and Ge films grown on Si substrates
- 2012-10-26
- 대한민국
Conference
Luminescence properties of InP/InGaP quantum structures grown by migration enhanced molecular beam epitaxy
- 류미이 ;
- 오재원
- 2012-10-24
- 대한민국
Article
Degenerate parallel conducting layer and conductivity type conversion observed from p-Ge1-ySny (y=0.06%) grown on n-Si substrate
- Ryu, Mee-Yi ;
- Yeo, Y. K. ;
- Ahoujja, M. ;
- Harris, Tom ;
- Beeler, Richard ;
- 외 1명
- 2012-09-24
- Applied Physics Letters
- AMER INST PHYSICS
Article
Luminescence properties of InAs quantum dots formed by a modified self-assembled method
- Kim, Hee Yeon ;
- Ryu, Mee-Yi ;
- Kim, Jin Soo
- 2012-07
- Journal of Luminescence
- ELSEVIER SCIENCE BV
Conference
Electrical and optical characterization studies of direct bandgap Ge1-ySny grown on Si substrate
- 2012-05-23
- 대한민국
Conference
Optical characteristics of seven-stacked InAs/InAlGaAs qunatum dots
- 류미이 ;
- 오재원
- 2012-05-17
- 프랑스
Conference
Temperature dependence of the photoluminescence and carrier recombination of InAs/GaAs quantum dots formed by a modified self-assembled method
- 류미이 ;
- 김희연
- 2012-05-14
- 프랑스
Conference
Migration Enhanced Epitaxy법으로 성장한 In(Ga)As/GaAs 양자점의 광학적 특성
- 류미이 ;
- 정연재 ;
- 권세라
- 2012-04-26
- 대한민국